40G電光強度調制器
基于M-Z推挽結構的LiNbO3電光強度調制器具有較低的半波電壓和穩定的物理化學特性,且器件具有較高的響應速率,因而被廣泛的應用于高速光通信系統、光調Q系統、微波光子鏈路和光纖傳感等領域。
l 低插入損耗
l 高調制帶寬
l 調制速率可達40Gbit/s
l 低半波電壓
l 獨立偏置電極
l 符合ecordia GR-468-CORE要求
l 激光鎖模
l光纖傳感系統
l 高速光通信系統
l 測試系統
40G電光強度調制器性能參數 |
參數 | 符號 | zui小值 | 典型值 | zui大值 | 單位 | 光學參數 | 工作波長 | l | 1525 | | 1565 | nm | 插入損耗 | IL | | 3.5 | 4 | dB | 光回波損耗 | ORL | | | -45 | dB | 開關消光比@DC | ER@DC | 20 | | | dB | 動態消光比 | DER | | 13 | | dB | 光纖 | 輸入端 | | Panda PM Fujikura SM 15-P-8/125-UV/UV-400 | 輸出端 | | Corning SMF-28 | 光纖接口 | | FC/PC、FC/APC或用戶 | 電學參數 | 工作帶寬(-3dB) | S21 | 25 | 32 | | GHz | 半波電壓Vpi | RF | Vπ@50KHz | | 4.5 | | V | Bias | Vπ@Bias | | | 5 | V | 電回波損耗 | S11 | | -12 | -10 | dB | 輸入阻抗 | RF | ZRF | 50 | W | Bias | ZBIAS | 1M | W | 電接口 | | V(f) |
極限條件 |
參 數 | 符號 | 單 位 | zui小值 | 典型值 | zui大值 | 輸入光功率 | Pin,Max | dBm | | | 20 | RF端輸入功率 | | dBm | | | 28 | Bias端偏置電壓 | Vbias | V | -20 | | 20 | 工作溫度 | Top | ºC | -10 | | 60 | 儲存溫度 | Tst | ºC | -40 | | 85 | 濕度 | RH | % | 5 | | 90 |
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