介質(zhì)損耗角正切值Tgδ測(cè)量?jī)x以單片計(jì)算機(jī)控制儀器,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定、標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定、諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索、Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換、數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至0低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量時(shí)更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,
介質(zhì)損耗角正切值Tgδ測(cè)量?jī)x
介電損耗角正切又稱介質(zhì)損耗角正切,是指電介質(zhì)在單位時(shí)間內(nèi)每單位體積中,將電能轉(zhuǎn)化為熱能(以發(fā)熱形式)而消耗的能量。表征電介質(zhì)材料在施加電場(chǎng)后介質(zhì)損耗大小的物理量,以tanδ來(lái)表示,δ是介電損耗角。
介質(zhì)損耗角是在交變電場(chǎng)下,電介質(zhì)內(nèi)流過(guò)電流向量和電壓向量之間的夾角 。
電介質(zhì)的介電損耗一般用損耗角正切tand 表示,并定義為:
tand=介質(zhì)損耗的功率(即有效功率)/無(wú)功功率
同時(shí),介電損耗也是表示絕緣材料〔如絕緣油料〕質(zhì)量的指標(biāo)之一。介電損耗愈小,絕緣材料的質(zhì)量愈好,絕緣性能也愈好。
tanδ=1/WCR(式中W為交變電場(chǎng)的角頻率;C為介質(zhì)電容;R為損耗電阻)。
tand是頻率的函數(shù),是電介質(zhì)的自身屬性,與試樣的大小和形狀無(wú)關(guān)。可以和介電常數(shù)同時(shí)測(cè)量,用介質(zhì)損耗儀、電橋、Q表等測(cè)量。
介質(zhì)損耗角正切值Tgδ測(cè)量?jī)x參數(shù):
項(xiàng)目/型號(hào) | ZJD-B | ZJD-A | ZJD-C |
信號(hào)源 | DDS數(shù)字合成信號(hào) |
頻率范圍 | 10KHZ-70MHZ | 10KHZ-110MHZ | 100KHZ-160MHZ |
信號(hào)源頻率覆蓋比 | 7000:1 | 11000:1 | 16000:1 |
采樣精度 | 11BIT | 12BIT |
信號(hào)源頻率精度 | 3×10-5 ±1個(gè)字,6位有效數(shù) |
Q值測(cè)量范圍 | 1~1000自動(dòng)/手動(dòng)量程 |
Q值量程分檔 | 30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔 |
Q分辨率 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 |
Q測(cè)量工作誤差 | <5% |
電感測(cè)量范圍 | 1nH~8.4H,;分辨率0.1 | 1nH~140mH;分辨率0.1 |
電感測(cè)量誤差 | <3% |
電容直接測(cè)量范圍 | 1pF~2.5uF | 1pF~25uF |
調(diào)諧電容誤差分辨率 | ±1pF或<1% |
主電容調(diào)節(jié)范圍 | 30~540pF | 17~240pF |
諧振點(diǎn)搜索 | 自動(dòng)掃描 |
實(shí)驗(yàn)步驟:
1、按照Q表的操作規(guī)程調(diào)整儀器,選定測(cè)量頻率,測(cè)定C1和Q1的值。
2、將試樣放入測(cè)試電極中,并調(diào)節(jié)電容器C,使電路諧振,達(dá)到最大Q值記下調(diào)諧電容量C2和Q2的值。
3、將試樣從測(cè)試電極中取出,調(diào)節(jié)C或測(cè)試電極的距離,使電路重新諧振,記下C、或測(cè)試電極的校正電容值與Q值,北京智德創(chuàng)新檢測(cè)儀器并根據(jù)測(cè)試值計(jì)算出損耗角tanδ與介電常數(shù)ε。
4、其他高頻測(cè)試儀器按其說(shuō)明書進(jìn)行操作,北京智德創(chuàng)新檢測(cè)儀器通過(guò)測(cè)試值計(jì)算出損耗角tanδ和介電常數(shù)ε。
