供應薄Si過渡層制備緣體上Ge(GOI)材料
與Si材料相比,Ge材料具有更高的的電子和空穴遷移率,在1.3-1.5 μm通信通信波段具有更高的吸收系數。此外,Ge工藝與現如今成熟的Si工藝相互兼容,Ge與GaAs晶格失配(～0.07%),可用作于制備Ⅲ-Ⅴ族器件的外延平臺,這使得Ge材料成為了下一代微電子和光電子器件的候選材料。然而,Ge器件容易產生更大的漏電流,其尺寸進一步減小容易導致小尺寸效應。緣體上鍺(Germanium-on-Insulator,GOI)材料具有Ge材料的特點和緣體上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)的結構特點,可以很好地解決體Ge器件的不足。通過Ge-Si02直接晶片鍵合可以獲得低位錯密度的GOI材料,但由于Ge表面親水性處理較為困難及Ge表面氧化物(GeOx)的不穩定性,在低溫下(≦400 ℃),采用Ge-Si02晶片直接鍵合得到的GOI鍵合強度通常較低,鍵合界面容易產生空洞和氣泡,而且由于GeOx的存在,導致Ge/Si02界面具有較高的界面態,這對于后期器件制備是不利的。通過在Ge上生長薄Si薄膜(Si/Ge),了表面親水性,同時了 GeOx的生成,然后通過Ge/Si-Si02鍵合制備了鍵合質量較高的GOI材料。
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