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上海羽宸光電科技有限公司


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電光Q開關

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品       牌

廠商性質其他

所  在  地上海

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更新時間:2025-05-07 12:13:41瀏覽次數:20次

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經營模式:其他

商鋪產品:178條

所在地區:

產品簡介

詳細介紹

電光Q開關

普克爾斯盒

各種不同的類型的縱向和橫向普克爾斯盒,用于調制、Q開關、脈沖切片和脈沖選擇。

1. 新的,超小型集成普克爾斯盒

詳細規格:

參數

EM508UC

孔徑:

8mm

波長范圍:

1064nm *

半波電壓 @ 1.06µm:

Approximately 6.2 kV static, 7.5kV dynamic

電壓:

8kV

光學上升時間:

< 1.0 ns

對比度 @ 1.06µm:

> 1000:1

電容無端接的:

< ~5 pF

損傷閾值:

600 MW/cm2

插入損耗 (P-polarization):

4%

消光比:

>300:1 **

*標準波長1064納米,但可選的設備可以為其他波長,取決于布魯斯特偏振器的可用性- 515 nm、532 nm、1030 nm、1047 nm和1047 nm也是可能的。

* *偏振器有限的

2. 超微型普克爾斯盒

詳細規格:

參數

EM510C

孔徑:

8mm

波長范圍:

1030-1064nm

半波電壓 @ 1.06µm:

Approximately 6.2 kV static, 7.5kV dynamic

電壓:

8kV

光學上升時間:

< 1.0 ns

對比度 @ 1.06µm:

> 1000:1

電容無端接的:

< ~5 pF

損傷閾值:

600 MW/cm2

插入損耗 with AR coatings:

4%

外形尺寸:

25mm Æ, 43mm long

3. 高功率BBO普克爾斯盒


典型的規格:

參數

Value

透射率(e.g. at 1064nm):

>98.5%

有效孔徑;

2, 3, 4, 5, 6, 7, 8mm standard *

半波電壓 at 1064nm:

Approx. 7kV for 3x3x20mm crystal **

對比度:

>up to 30dB typically

電容:

>From 5 to 10pF typically

損傷閾值;

>1GW/cm2 at 1064nm (t = 10ns)

可用波長:

220nm - 2,000nm ***

BBO-X-20: 20mm long, 單個晶體:

 

BBO-X-25: 25mm long, 單個晶體:

 

BBO-X-40: 40mm long, 兩個晶體:

 

BBO-X-50: 50mm long, 兩個晶體:

 

*大光圈可用但實際工作電壓的局限性導致了一些限制,例如,可能需要兩倍晶體盒。

* *其他晶體尺寸的電壓將與孔徑和反向長度成線性比例。

* * *長波長可能限制孔徑因為電壓的限制。

4. 100KHz RTP普克爾斯盒

詳細規格:

參數

Value

透射率 at 1064nm:

>98.5%

有效孔徑:

3, 4 and 6mm

半波電壓 at 1064:

1,000V, 1,300V and 2,000V

對比度:

>20dB

接受角:

>1°

損傷閾值:

>600MW/cm2 at 1064nm (t = 10ns)

外形尺寸:

35mm Æ, 45mm long

5. Q-Switches KD*P 普克爾斯盒(標準產品)

詳細規格:

型號

EM508

EM510

EM512

EM565

孔徑:

8mm

10mm

12mm

16mm

波長范圍:

0.3-1.2µm

0.3-1.2µm

0.3-1.2µm

0.3-1.2µm

半波電壓 (DC) @ 1.06µm:

6.0kV

6.0kV

6.2kV

6.3kV

典型的上升時間:

< 0.5ns

< 0.5ns

< 0.5ns

< 0.6ns

電壓:

10kV

10kV

10kV

10kV

對比度 @ 1.06µm:

> 1000:1

> 1000:1

> 1000:1

> 1000:1

晶體長度:

25mm

25mm

25mm

30mm

電容無端接的:

15pf

15pf

15pf

20pf

損傷閾值Q-switched:

600MW/cm2

600MW/cm2

600MW/cm2

600MW/cm2

插入損耗:

4%

4%

4%

4%

終端:

H.V.BNC

H.V.BNC

H.V.BNC

H.V.BNC

表面處理:

Black anodised

Black anodised

Black anodised

Black anodised

外形尺寸:

50mmdia.50mm long

50mmdia.55mm long

50mmdia.55mm long

60mmdia.70mm long

6. 兩個晶體縱模普克爾斯盒

詳細參數:

參數

性能

孔徑:

8mm

波長范圍:

0.3-1.2µm

半波電壓 @ 1.06µm:

3.0kV

電壓:

5kV

光學上升時間:

< 0.25ns

對比度 @ 1.06µm

> 600:1

電容無端接的:

30pf

損傷閾值 Q-switched:

600MW/cm2

插入損耗:

7%

終端:

H.V.BNC

表面處理:

Black anodised

外形尺寸:

50mm dia.

72mm long

另外我們還提供超快普克爾斯盒,三個電極普克爾斯盒,橫向磁場普克爾斯盒。如果您需要的話,請聯系我們!

7. 電光偏轉器q開關

偏轉器規格:

孔徑

1mm

2mm

3mm

偏轉器長度

11m

20mm

25mm

偏轉角 for 1kV drive

5mrad

3mrad

1.5mrad

光損耗 ar/ar at 1.06mm

< 1%

< 1%

< 1%

外形尺寸(mm, excluding connections)

25 x 25 x 11

20 x 20 x 31

20 x 20 x 31

連接器

SMA

SMA

SMA

電容

50pF

50pF

50pF

轉換速度

Driver limited

Driver limited

Driver limited

固態20KHz驅動規格:

功率輸入

+9V or +12V @ 0.7A D.C.

輸出

+900V pulse

額定脈沖寬度

20 - 100ns, internally adjustable

上升時間 50pF 電容

£10ns

觸發輸入

2 - 5V with 10ns rise time into 50W

重復頻率

0 - 20kHz

外形尺寸

60 x 60 x 110mm

連接器: Output & Trig. in

SMA

脈沖發生器和偏轉器之間的電纜長度

500mm max.

8. HVP50/80高壓普克爾斯盒Q開關驅動

階梯脈沖發生器

HVP 50/80

輸出脈沖

電壓范圍

1 - 8 kV

輸出電流

200 A

電下降時間

< 3 ns

恢復時間

100 µs exponential

輸出阻抗

50 W

電流的時間

200 ns

重復頻率

100Hz

脈沖寬度

10 ns

外部觸發輸入

振幅

-3 V to + 3 V

前沿的極性

Positive or Negative

輸入阻抗

50 ohm

內部延遲

40 ns

同步輸出

振幅

³ 3 V into 50 ohms

高電壓脈沖抖動

100 ps

發生器內部效率

重復頻率

0.1 Hz - 100 Hz

脈沖終端負載(designed to correctly terminate a 50 ohm coaxial cable)

交流阻抗

50 ohms nominal

箱體

體積 (W x D x H)

330 x 330 x 100 mm

重量

4 kg

環境溫度

范圍

0°C - 40°°C

Supply

電源電壓 @ 50 or 60 Hz

120 or 240 V ± 10%

功率

50W

啟動輸入

消除短路保護操作


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