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北京時陽電子科技有限公司
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ADR42x系列為超精密、第二代外加離子注入場效應管(XFET)基準電壓源，具有低噪聲、高精度和出色的長期穩定特性，采用SOIC和MSOP封裝...
| 產品型號 | 封裝 | 溫度范圍 |
| ADR421ARMZ | 8 ld MSOP | -40 至 125至 |
| ADR421ARMZ-REEL7 | 8 ld MSOP | -40 至 125至 |
| ADR421ARZ | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
| ADR421ARZ-REEL7 | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
| ADR421BR | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
| ADR421BR-REEL7 | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
| ADR421BRZ | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
| ADR421BRZ-REEL7 | 8 ld SOIC | -40 至 125至 |
優勢和特點
低噪聲（0.1 Hz至10 Hz）
ADR420: 1.75 μV峰峰值
ADR421: 1.75 μV 峰峰值
ADR423: 2.0 μV 峰峰值
ADR425: 3.4 μV 峰峰值
低溫度系數：3 ppm/°C
長期穩定性：50 ppm/1000小時
負載調整率：70 ppm/mA
電壓調整率：35 ppm/V
低遲滯：40 ppm（典型值）
寬工作電壓范圍
ADR420: 4 V至18 V
ADR421: 4.5 V 至18 V
ADR423: 5 V 至 18 V
ADR425: 7 V 至18 V
靜態電流：0.5 mA（值）
高輸出電流：10 mA
寬溫度范圍：−40°C至+125°C
ADR42x系列為超精密、第二代外加離子注入場效應管(XFET)基準電壓源，具有低噪聲、高精度和出色的長期穩定特性，采用SOIC和MSOP封裝。
利用溫度漂移曲率校正技術和XFET技術，可以使電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。XFET架構能夠為帶隙基準電壓源提供出色的精度和熱滯性能。與嵌入式齊納二極管基準電壓源相比，還能以更低的功耗和更小的電源裕量工作。
ADR42x具有出色的噪聲性能、穩定性和精度，非常適合光纖網絡和醫療設備等精密轉換應用。此外還可利用其調整引腳，在±0.5%范圍內調整輸出電壓，其它性能則不受影響。ADR42x系列分為兩種電氣等級，額定溫度范圍為−40°C至+125°C擴展工業溫度范圍，提供8引腳SOIC封裝或8引腳MSOP封裝（后者比前者小30%）。
應用
精密數據采集系統
高分辨率轉換器
電池供電儀器儀表
便攜式醫療儀器
工業過程控制系統
精密儀器
光纖網絡控制電路
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