英國Raptor Photonics公司的Falcon III XV相機是可以直接放置在真空腔室內的高速X射線相機，幀頻可達31幀/秒。相機采用電子倍增EMCCD芯片，高達5000倍的EMGain，實現對采集信號的放大，探測能量范圍覆蓋12eV到20keV，可實現對真空紫外VUV、軟X射線的直接探測。
主要特性
相機放置在真空腔室內使用
EMCCD芯片，分辨率1024x1024
滿分辨率幀頻31fps
可直接探測能量范圍12eV-20keV
制冷溫度-70℃，暗電流<0.001e - /p/s
提供完整真空饋通的解決方案
典型應用
EUV X射線光譜、軟X射線顯微鏡、VUV/EUV/XUV光刻、X射線衍射成像(XRD)、X射線熒光成像(XRF)、X射線相襯成像
>>X-ray衍射（XRD）
X-ray衍射是一種研究物質特性的技術，如大分子、晶體、粉末、 聚合物和纖維。 當X-ray穿過物質時，它們與原子中的電子相互作用，并分散開 來。如果原子是在平面上組織的（即物質是結晶的），并且原子之間 的距離與X-ray的波長大小相同，則會發生構造性和破壞性的干涉， 并形成衍射圖案。根據所研究物質的種類，可以使用單色X-ray、粉 紅束（窄帶）X-ray或白束（寬帶）X-ray。
>>EUV紫外光刻
半導體工業使用波長從 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已達到光刻技術的界限。認識到這 一限制，該行業在過去幾年中一直在尋找一種潛在的后繼技術，以生 產小于100nm的特性。半導體工業研究的下一代光刻技術包括超視 距光刻、X-ray光刻、離子束投影光刻和電子束投影光刻。盡管EUV 光刻技術也有其挑戰，但它經常被使用，因為它保留了上述光刻技術 （波長13.5nm）的外觀和感覺，以及使用了相同的基本設計工具。 因此，直接探測X-ray相機為光刻系統工作中提供了好的診斷 和監控手段。
>>XUV、軟X射線及EUV光譜
美國McPherson Instruments公司的251MX平場光譜儀，采用新的120g/mm光柵和EA4710XO-BN相機，可以輕松實現XUV、軟X射線及EUV光譜的測量。
Falcon III XV – In Vacuum X-Ray
In-Vacuum, Digital Monochrome EMCCD X-Ray Camera
The Falcon III XV is Raptor’s latest offering for the in-vacuum X-Ray market, perfect for imaging very weak X-Ray samples close to UV and VUV, where speed is important. Using a next-generation uncoated EMCCD sensor offering 1MP resolution with 10µm square pixels, the Falcon III XV offers ultimate sensitivity and low noise, running at 30 fps in full resolution, faster if ROI’ed or binned. The Falcon III XV is available with a range of feedthrough options – including trigger, liquid, power and CameraLink.
In-Vacuum – High energyin-vacuum direct detection
Back-illuminated EMCCDwith no coating – Optimises sensitivity and large field of view imaging from1.2keV to 20keV
Fast frame rate in fullframe resolution: 30fps – Ideal for fast repetition rates
Deep cooled to -70°C – For minimalbackground events
Optional Accessory | Part Number | Notes |
Power Feedthrough | RPL-PFC | 19-way hermetic bulkhead feedthrough; 3m, 19-way, in vacuum cable |
CameraLink Feedthrough | RPL-CLFC | MDR-MDR Feedthru Plate; Cameralink Cable 3m MDR to MDR |
KF40 Liquid Feedthrough | RPL-DN40KF-WFC | KF40 flange with 2-off ?" pipes, terminated with swagelok fittings |
2.75" CF Liquid Feedthrough | RPL-DN40CF-WFC | 2.75" CF flange with 2-off ?" pipes, terminated with swagelok fittings |
KF40 Trigger Feedthrough 2 SMAs | RPL-DN40KF-TFC | KF40 flange with 2-off female SMA to SMA feedthroughs; |
2.75" CF Trigger Feedthrough | RPL-DN40CF-TFC | 2.75" CF flange with 2-off female SMA to SMA feedthroughs; |
Air Side Water Tubing | RPL-WTUBE-XV | Includes tubing and connectors. Stainless Steel Hose Connector, 1/4 in. Tube Adapter, 1/4 in; 5mm ID Flexible PVC Tubing (2m length); |
EPIX EB1 frame grabber | RPL-EPIX-EB1 | |
EPIX XCAP Std software | RPL-XCAP-STD | |
CameraLink Cable (2m) | RPL-CL-CBL-2M | Longer Camera Link cable available. |
Mini PC with XCAP Std and frame grabber | RPL-PC-EL1 | |
Thermoelectric Water Chiller Unit | RPL-CHILLER | Recommended coolant flow rate >0.5l/min & cooling capacity >100W @ 20°C. |
產品參數：
型號 | FA351XV-BN-CL |
芯片類型 | EMCCD |
有效像素 | 1024 x 1024 |
像素尺寸 | 10µm x 10µm |
有效面積 | 10.2mm x 10.2mm |
滿阱 | >29ke- |
移位寄存器阱深 | 200ke- |
讀出噪聲（RMS） | EM Gain ON: <1e- EM Gain OFF: <60e- |
滿分辨率幀頻 | 31Hz |
曝光時間 | 1ms to >1hr |
暗電流（e-/p/s） | 0.001 @ -70°C |
數據輸出格式 | 16 bit Camera Link (base configuration / SDR) |
峰值量子效率 | ＞95 |
光譜響應范圍 | 12eV to 20keV |
制冷溫度 | 70°C with 20°C liquid |
像元合并 | 1x1 up to 8x8 |
同步方式 | Trigger IN and OUT - TTL compatible |
供電方式 | 12V DC ±0.1 |
總功耗 | <75W (TEC ON, Steady State) |
工作溫度 | -20°C to +55°C |
存儲溫度 | -30°C to +60°C |
外形尺寸 | 168.7mm x 120.0mm x 118.6mm |
重量 | <1.5Kg |
典型應用
X射線成像,X射線衍射(XRD)和x射線熒光(XRF),X射線等離子體成像與診斷,軟X射線顯微鏡,EUV X射線光譜學,X射線源表征,X射線相位對比成像,X射線斷層掃描
VUV/EUV/XUV成像和光刻,晶體學
>>X-ray衍射（XRD）
X-ray衍射是一種研究物質特性的技術，如大分子、晶體、粉末、 聚合物和纖維。 當X-ray穿過物質時，它們與原子中的電子相互作用，并分散開 來。如果原子是在平面上組織的（即物質是結晶的），并且原子之間 的距離與X-ray的波長大小相同，則會發生構造性和破壞性的干涉， 并形成衍射圖案。根據所研究物質的種類，可以使用單色X-ray、粉 紅束（窄帶）X-ray或白束（寬帶）X-ray。
>>EUV紫外光刻
半導體工業使用波長從 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已達到光刻技術的界限。認識到這 一限制，該行業在過去幾年中一直在尋找一種潛在的后繼技術，以生 產小于100nm的特性。半導體工業研究的下一代光刻技術包括超視 距光刻、X-ray光刻、離子束投影光刻和電子束投影光刻。盡管EUV 光刻技術也有其挑戰，但它經常被使用，因為它保留了上述光刻技術 （波長13.5nm）的外觀和感覺，以及使用了相同的基本設計工具。 因此，直接探測X-ray相機為光刻系統工作中提供了好的診斷 和監控手段。
>>XUV、軟X射線及EUV光譜
美國McPherson Instruments公司的251MX平場光譜儀，采用新的120g/mm光柵和EA4710XO-BN相機，可以輕松實現XUV、軟X射線及EUV光譜的測量。
X-Ray Imaging
X-Ray Diffraction (XRD) and X-Ray Fluorescence (XRF)
X-Ray Plasma Imaging and Diagnostics
Soft X-Ray Microscopy
EUV X-Ray Spectroscopy
X-Ray source characterization
X-Ray Phase Contrast Imaging
X-Ray Tomography
VUV/EUV/XUV Imaging and Lithography
Crystallography
